180 nm process

Semiconductor device fabrication
MOSFET scaling (process nodes)
020 µm – 1968 010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 028 nm – 2010 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
Future 002 nm ~ 2024
Half-nodes Density CMOS Device (multi-gate) Moore's law Transistor count Semiconductor Industry Nanoelectronics
v t e

The 180 nm process is a MOSFET (CMOS) semiconductor process technology that was commercialized around the 1998–2000 timeframe by leading semiconductor companies, starting with TSMC^[1] and Fujitsu,^[2] then followed by Sony, Toshiba,^[3] Intel, AMD, Texas Instruments and IBM.