MOSFET

Tämän artikkelin tai sen osan kieliasua on pyydetty parannettavaksi. Voit auttaa Wikipediaa parantamalla artikkelin kieliasua. Tarkennus: Artikkelissa suomennettavaa, turhaa juttua ja liikaa anglismeja

MOS-transistori eli MOSFET (engl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) on kanavatransistori, jossa hilaelektrodi on eristetty kanavasta.^[1] Sitä käytetään sekä digitaalisissa että analogisissa piireissä.

Sanatarkasti ymmärrettynä MOS-transistori eli metallioksidi-puolijohdekanavatransistori kattaa vain tapaukset, jossa eriste on metallioksidi. Eristyshilainen kanavatransistori eli IGFET (insulated-gate field-effect transistor) on tällöin MOSFETiä yleisempi termi, joka käsittää myös tapaukset, joissa eriste ei ole metallioksidi.^[2] Tällaista erottelua ei kuitenkaan käytännössä yleensä noudateta, vaan kaikkia eristyshilaisia kanavatransistoreita kutsutaan MOSFETeiksi.^lähde? Nykyaikaisissa integroiduissa piireissä käytetään eristeenä yleensä monikiteistä piitä.

1. ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-04-55: "metal-oxide-semiconductor field-effect transistor" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.
2. ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-04-54: "insulated-gate field-effect transistor" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.