![]() | |
![]() GaAs wafer of (100) orientation
| |
Nama | |
---|---|
Nama IUPAC (preferensi)
Gallium arsenide | |
Penanda | |
Model 3D (JSmol)
|
|
3DMet | {{{3DMet}}} |
ChemSpider | |
Nomor EC | |
MeSH | gallium+arsenide |
PubChem CID
|
|
Nomor RTECS | {{{value}}} |
UNII | |
Nomor UN | 1557 |
CompTox Dashboard (EPA)
|
|
| |
| |
Sifat | |
GaAs | |
Massa molar | 144,645 g/mol[1] |
Penampilan | Kristal abu-abu[1] |
Bau | seperti bawang ketika berair |
Densitas | 5,3176 g/cm3[1] |
Titik lebur | 1.238 °C (2.260 °F; 1.511 K)[1] |
tidak larut | |
Kelarutan | larut dalam HCl tidak larut dalam etanol, metanol, aseton |
Celah pita | 1,441 eV (pada 300 K)[2] |
Mobilitas elektron | 9000 cm2/(V·s) (at 300 K)[2] |
-16,2×10−6 cgs[3] | |
Konduktivitas termal | 0,56 W/(cm·K) (pada 300 K)[4] |
Indeks bias (nD) | 3,3[3] |
Struktur[4] | |
Zinc blende | |
T2d-F-43m | |
a = 565,315 pm
| |
Tetrahedral | |
Linear | |
Bahaya | |
Lembar data keselamatan | External MSDS |
Piktogram GHS | ![]() |
Keterangan bahaya GHS | {{{value}}} |
H350, H372, <abbr class="abbr" title="Error in hazard statements">H360F | |
P261, P273, P301+310, P311, P501 | |
Senyawa terkait | |
Anion lain
|
Galium nitrida Galium fosfida Galium antimonida |
Kecuali dinyatakan lain, data di atas berlaku pada suhu dan tekanan standar (25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
![]() ![]() ![]() | |
Referensi | |
Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari unsur-unsur galium dan arsenik. Ini adalah semikonduktor III-V celah pita langsung dengan struktur kristal seng blende.
Galium arsenida digunakan dalam pembuatan perangkat seperti sirkuit terintegrasi frekuensi gelombang mikro, sirkuit terpadu gelombang mikro monolitik, dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, sel surya dan jendela optik.
GaAs sering digunakan sebagai bahan substrat untuk pertumbuhan epitaksial semikonduktor III-V lainnya, termasuk indium galium arsenida, aluminium galium arsenida dan lain-lain.
© MMXXIII Rich X Search. We shall prevail. All rights reserved. Rich X Search