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| Arseniuro di gallio | |
|---|---|
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| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | GaAs |
| Massa molecolare (u) | 144,645 |
| Numero CAS | |
| Numero EINECS | 215-114-8 |
| PubChem | 14770 e 25032019 |
| SMILES | [Ga]#[As] |
| Proprietà chimico-fisiche | |
| Densità (g/cm3, in c.s.) | 5,316 g/cm³ |
| Temperatura di fusione | 1238 °C |
| Indicazioni di sicurezza | |
| Simboli di rischio chimico | |
 
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| pericolo | |
| Frasi H | 301 - 331 - 410 |
| Consigli P | 261 - 301+310 - 304+340 - 321 - 405 - 501 [1][2] |
L'arseniuro di gallio è il composto binario covalente formato dal gallio con l'arsenico.[3] È un composto non molecolare avente formula minima GaAs, dove sia il gallio che l'arsenico sono entrambi tetracoordinati e tetraedrici. L'arseniuro di gallio è un tipico semiconduttore del tipo III-V.[4] Si presenta come un materiale cristallino di media durezza, 4,5 sulla scala di Mohs,[5] sensibilmente meno del germanio (6,0) o del silicio (6,5),[6] avente la struttura cubica della sfalerite (ZnS).[7] Il cristallo di GaAs è strettamente isoelettronico a quello di germanio ed anche ad esso isostrutturale; ne differisce per il valore del band gap, che è circa il doppio, e per il fatto che esso è di tipo diretto,[8] caratteristica di primaria importanza in applicazioni di optoelettronica.[9]
Per queste caratteristiche e per essere caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune), trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad alta velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.[10]
- ^ scheda della sostanza su IFA-GESTIS (archiviato dall'url originale il 16 ottobre 2019).
- ^ Smaltire in accordo alle leggi vigenti.
- ^ Egon Wiberg, Nils Wiberg e A. F. Holleman, Anorganische Chemie, 103. Auflage, De Gruyter, 2017, p. 1404, ISBN 978-3-11-026932-1, OCLC 970042787. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ (EN) Fundamentals of Semiconductors, DOI:10.1007/978-3-642-00710-1. URL consultato l'11 giugno 2024.
- ^ Gallium Arsenide (GaAs) - Mateck, su mateck.com. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ Gregory V. Samsonov, Handbook of the Physicochemical Properties of the Elements, ISBN 978-1-4684-6066-7.
- ^ N. N. Greenwood e A. Earnshaw, Chemistry of the Elements, 2ª ed., Butterworth-Heinemann, 1997, pp. 255-256, ISBN 0-7506-3365-4.
- ^ Lecture 2: Electrons in semiconductors I (PDF), su The University of Liverpool, pp. 15-19.
- ^ (EN) Elton Ogoshi, Mário Popolin-Neto e Carlos Mera Acosta, Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors, in Discover Materials, vol. 4, n. 1, 29 febbraio 2024, DOI:10.1007/s43939-024-00073-x. URL consultato il 12 giugno 2024.
- ^ (EN) What Are the Applications of Gallium Arsenide Semiconductors? | Wafer World, su waferworld.com. URL consultato il 12 giugno 2024.
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