Arseniuro di gallio | |
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Caratteristiche generali | |
Formula bruta o molecolare | GaAs |
Massa molecolare (u) | 144,645 |
Numero CAS | |
Numero EINECS | 215-114-8 |
PubChem | 14770 e 25032019 |
SMILES | [Ga]#[As] |
Proprietà chimico-fisiche | |
Densità (g/cm3, in c.s.) | 5,316 g/cm³ |
Temperatura di fusione | 1238 °C |
Indicazioni di sicurezza | |
Simboli di rischio chimico | |
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pericolo | |
Frasi H | 301 - 331 - 410 |
Consigli P | 261 - 301+310 - 304+340 - 321 - 405 - 501 [1][2] |
L'arseniuro di gallio è il composto binario covalente formato dal gallio con l'arsenico.[3] È un composto non molecolare avente formula minima GaAs, dove sia il gallio che l'arsenico sono entrambi tetracoordinati e tetraedrici. L'arseniuro di gallio è un tipico semiconduttore del tipo III-V.[4] Si presenta come un materiale cristallino di media durezza, 4,5 sulla scala di Mohs,[5] sensibilmente meno del germanio (6,0) o del silicio (6,5),[6] avente la struttura cubica della sfalerite (ZnS).[7] Il cristallo di GaAs è strettamente isoelettronico a quello di germanio ed anche ad esso isostrutturale; ne differisce per il valore del band gap, che è circa il doppio, e per il fatto che esso è di tipo diretto,[8] caratteristica di primaria importanza in applicazioni di optoelettronica.[9]
Per queste caratteristiche e per essere caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune), trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad alta velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.[10]
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