MOSFET

Bu maddede kaynak listesi bulunmasına karşın metin içi kaynakların yetersizliği nedeniyle bazı bilgilerin hangi kaynaktan alındığı belirsizdir. Lütfen kaynakları uygun biçimde metin içine yerleştirerek maddenin geliştirilmesine yardımcı olun. (Nisan 2020) (Bu şablonun nasıl ve ne zaman kaldırılması gerektiğini öğrenin)

Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör (MOSFET, MOS-FET veya MOS FET) bir tür alan etkili transistör (FET)’dür ve daha çok silisyum'un kontrollü oksitlenmesi ile üretilir. Voltajı cihazın iletkenliğini belirleyen yalıtımlı bir kapısı vardır. Uygulanan voltaj miktarıyla iletkenliği değiştirme özelliği, elektronik sinyal’lerin güçlendirilmesi veya değiştirilmesi için kullanılabilir.

Metal-yalıtkan-yarı iletken alan etkili transistör (MISFET) terimi neredeyse MOSFET ile eş anlamlıdır. Bir diğer eşanlamlısı ise yalıtımlı- kapı alan-etkili transistördür ("IGFET").

Alan etkili transistör’ün temel prensibi ilk olarak 1925'te Julius Edgar Lilienfeld tarafından patentlendi.^[1]

Bipolar transistör'ler (bipolar bağlantı transistörleri/BJT'ler) ile karşılaştırıldığında, MOSFET'in temel avantajı, yük akımını kontrol etmek için neredeyse hiç giriş akımı gerektirmemesidir. Artırma modu MOSFET'te kapı terminaline uygulanan gerilim cihazın iletkenliğini arttırır. Azaltma modu transistörlerde kapıya uygulanan voltaj iletkenliği azaltır.^[2]

MOSFET adındaki "metal" bazen yanlış isimdir çünkü kapı malzemesi polikristalin silikon tabakası olabilir. Benzer şekilde, isimdeki "oksit" de yanlış isim olabilir çünkü uygulanan daha küçük gerilimlerle güçlü kanallar elde etmek amacıyla farklı dielektrik malzemeler kullanılır.

MOSFET, dijital devrelerde en çok kullanılan transistördür çünkü milyarlarcası bellek yongalarında veya mikroişlemcilerde kullanılır. MOSFET'ler p-tipi veya n-tipi yarı iletkenlerle yapılabildiğinden, tamamlayıcı MOS transistör çiftleri, CMOS mantığı biçiminde çok az güç tüketimli anahtarlama devreleri yapmak için kullanılabilir.

1. ^ Lilienfeld, Julius Edgar (1926-10-08) "Method and apparatus for controlling electric currents" ABD patent 1745175A
2. ^ "D‐MOSFET OPERATION AND BIASING" (PDF). 22 Ekim 2022 tarihinde kaynağından arşivlendi (PDF).