Floating-Gate-Transistor

Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird. Er wurde 1967 von Dawon Kahng und Simon Min Sze in den Bell Laboratories entwickelt^[1] und stellte bis zum Anfang der 2000er Jahre in integrierten Schaltungen bei den Flash-Speichern, Floating-Gate-PROMs, EPROMs und EEPROMs das elementare Speicherelement dar.

Floating-Gate-Transistoren werden in Flashspeichern, insbesondere den NAND-Flash, zunehmend durch Charge-Trap-Flash (CTF) ersetzt. Durch die Vermeidung von Störeffekten, welche primär durch eng benachbarte Floating-Gate-Transistoren verursacht sind, können in CTFs kleinere Strukturgrößen und höhere Speicherdichten pro Chipfläche als mit Floating-Gates realisiert werden.^[2]

1. ↑ D. Kahng, S. M. Sze: A floating-gate and its application to memory devices. In: The Bell System Technical Journal. 46, Nr. 4, 1967, S. 1288–1295.
2. ↑ Betty Prince: Evolution of Flash Memories: Nitride Storage and Silicon Nanocrystal, 2006, CMOSET Conference Proceedings