ReRAM

ReRAM ou RRAM (Resistive Random Access Memory ou Memória RAM Resistiva, em português) é um tipo de memória RAM não-volátil baseada no uso de memristores, os quais consistem em um tipo de resistor que tem propriedades de memória, armazenando a última resistência registrada e podendo variar o valor da resistência de acordo com a direção em que a corrente flui pelo dispositivo.^[1]

↑ «What are memristors?». Memristor (em inglês). 2 de maio de 2008. Consultado em 10 de dezembro de 2022
↑ Hong, XiaoLiang; Loy, Desmond JiaJun; Dananjaya, Putu Andhita; Tan, Funan; Ng, CheeMang; Lew, WenSiang (junho de 2018). «Oxide-based RRAM materials for neuromorphic computing». Journal of Materials Science (em inglês) (12): 8720–8746. ISSN 0022-2461. doi:10.1007/s10853-018-2134-6. Consultado em 1 de dezembro de 2021

[:0-1] «What are memristors?». Memristor (em inglês). 2 de maio de 2008. Consultado em 10 de dezembro de 2022

[2] Hong, XiaoLiang; Loy, Desmond JiaJun; Dananjaya, Putu Andhita; Tan, Funan; Ng, CheeMang; Lew, WenSiang (junho de 2018). «Oxide-based RRAM materials for neuromorphic computing». Journal of Materials Science (em inglês) (12): 8720–8746. ISSN 0022-2461. doi:10.1007/s10853-018-2134-6. Consultado em 1 de dezembro de 2021

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