Lift-off-Verfahren

Das Lift-off-Verfahren (englisch lift-off technique) ist in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik eine Prozessfolge zur Herstellung einer meist metallischen Mikrostruktur. In einem ersten Prozessschritt werden dabei strukturierte dünne Schichten auf der Oberfläche von Substraten wie beispielsweise Wafern erzeugt. Auf diese strukturierte Opferschicht wird dann das Zielmaterial ganzflächig abgeschieden. Jene Bereiche, in denen sich das Zielmaterial auf der Opferschicht befindet, werden anschließend durch einen weiteren Prozessschritt entfernt, und die verbliebenen Strukturen bilden die gewünschte Mikrostruktur. Die Größe der mit dem Lift-off-Verfahren herstellbaren Strukturen reicht von einigen zehn Nanometern^[1] bis zu Zentimetern, wobei die typischen Strukturgrößen im Mikrometerbereich liegen. Eingesetzt wird das Verfahren unter anderem zur Herstellung von Leiterbahnebenen oder Kontaktflächen bei der Fertigung von integrierten Schaltungen (ICs) und Mikrosystemen. Im Gegensatz zu diesem additiven bzw. aufbauenden Verfahren stehen die subtraktiven Verfahren, bei denen zuerst ganzflächig eine homogene Schicht des Zielmaterials auf dem Substrat abgeschieden wird und die spätere Struktur durch Ätzen dieser Schicht entsteht.

1. ↑ Zheng Cui: Nanofabrication: principles, capabilities and limits. Springer, 2008, ISBN 978-0-387-75576-2, S. 219.