William Shockley

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William Shockley

William Shockley

Biographie

Naissance	13 février 1910 Londres
Décès	12 août 1989 (à 79 ans) Stanford
Sépulture	Alta Mesa Memorial Park (en)
Nom dans la langue maternelle	William Bradford Shockley
Nationalité	Américain
Formation	California Institute of Technology (baccalauréat universitaire ès sciences) (jusqu'en 1932) Massachusetts Institute of Technology (doctorat) (jusqu'en 1936)
Activités	Physicien, inventeur, professeur d'université
Père	William Hillman Shockley (d)
Conjoints	Jean Bailey (d) Emmy Lanning (d)

Autres informations

A travaillé pour	Laboratoires Bell Université Stanford Shockley Semiconductor Laboratory (en)
Parti politique	Parti républicain
Membre de	Académie américaine des sciences (1951) Académie américaine des arts et des sciences Société américaine de physique
Directeur de thèse	John Clarke Slater
Distinctions	Prix Nobel de physique (1956) Liste détaillée Médaille commémorative IEEE Morris N. Liebmann (1952) Prix Oliver E. Buckley (1953) Prix Comstock de physique (1953) Prix Nobel de physique (1956) Médaille Wilhelm-Exner (1963) Médaille Holley (1963) National Inventors Hall of Fame (1974) IEEE Medal of Honor (1980) Membre de la Société américaine de physique Personnalité de l'année selon Time Magazine

Œuvres principales

Invention du transistor

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William Bradford Shockley (13 février 1910 – 12 août 1989) est un physicien américain. Sa tentative de commercialisation d'un nouveau type de transistor dans les années 1950 et 1960 est à l'origine de la création de la Silicon Valley. Il fut, aux côtés de John Bardeen et Walter Houser Brattain, lauréat du prix Nobel de physique de 1956 « pour leurs recherches sur les semiconducteurs et leur découverte de l'effet transistor^[1] ». William Shockley a été à la fin de sa carrière un fervent avocat de l'eugénisme, et a été accusé de racisme scientifique.